-
RFTXX-30CR6363C Chipmotstand RF-motstand
Modell RFTXX-30CR6363C Effekt 30W Motstand XX Ω (10~3000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5% Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se Effektreduksjon) Foreslåtte monteringsprosedyrer Effektreduksjon Reflow-profil Delnummer Betegnelse Bruksanvisning ■ Etter at lagringsperioden for nyinnkjøpte deler har oversteget 6 måneder, skal det tas hensyn til sveisbarheten før bruk. Det anbefales ... -
RFTXX-30CR2550W Chipmotstand RF-motstand
Modell RFTXX-30CR2550W Effekt 30 W Motstand XX Ω (10~3000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5 % Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se Effektreduksjon) Foreslåtte monteringsprosedyrer Effektreduksjon Reflow-profil Delenr. Betegnelse Bruksanvisning ■ Etter at lagringsperioden for nyinnkjøpte deler har oversteget 6 måneder, må det tas hensyn til sveisbarheten før bruk. Det anbefales... -
RFTXX-30CR2550TA Chipmotstand RF-motstand
Modell RFTXX-30CR2550TA Effekt 30W Motstand XX Ω (10~3000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5% Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se Effektreduksjon) Foreslåtte monteringsprosedyrer Effektreduksjon Reflow-profil Delnummer Betegnelse Bruksanvisning ■ Etter at lagringsperioden for nyinnkjøpte deler har oversteget 6 måneder, skal det tas hensyn til sveisbarheten før bruk. Det anbefales... -
RFTXX-30RM2006 Flensmotstand RF-motstand
Modell RFTXX-30RM2006 Effekt 30 W Motstand XX Ω (10~2000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5 % Kapasitans 2,6 PF@100Ω Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-deksel AL2O3 Monteringsflens Messing Bly 99,99 % rent sølv Resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se effektreduksjon) Oversiktstegning (enhet: mm) Lengden på ledningstråden kan oppfylle kundens krav Størrelsestoleranse: 5 % med mindre annet er angitt Foreslår... -
RFTXX-30RM1306 RF-motstand
Modell RFTXX-30RM1306 Effekt 30 W Motstand XX Ω (10~2000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5 % Kapasitans 2,6 PF@100Ω Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-deksel AL2O3 Monteringsflens Messing Bly 99,99 % rent sølv Resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se effektreduksjon) Oversiktstegning (enhet: mm) Lengden på ledningstråden kan oppfylle kundens krav Størrelsestoleranse: 5 % med mindre annet er angitt Foreslår... -
Dobbel koblingsisolator
En dobbeltkoblingsisolator er en passiv enhet som vanligvis brukes i mikrobølge- og millimeterbølgefrekvensbånd for å isolere reverssignaler fra antenneenden. Den består av strukturen til to isolatorer. Innsettingstapet og isolasjonen er vanligvis dobbelt så høy som for en enkelt isolator. Hvis isolasjonen til en enkelt isolator er 20 dB, kan isolasjonen til en dobbeltkoblingsisolator ofte være 40 dB. Portens VSWR endres ikke mye. I systemet, når radiofrekvenssignalet overføres fra inngangsporten til den første ringforbindelsen, fordi den ene enden av den første ringforbindelsen er utstyrt med en radiofrekvensmotstand, kan signalet bare overføres til inngangsenden av den andre ringforbindelsen. Den andre sløyfeforbindelsen er den samme som den første, med RF-motstander installert, vil signalet bli sendt til utgangsporten, og isolasjonen vil være summen av isolasjonen til de to sløyfeforbindelsene. Reverssignalet som returnerer fra utgangsporten vil bli absorbert av RF-motstanden i den andre ringforbindelsen. På denne måten oppnås en stor grad av isolasjon mellom inngangs- og utgangsportene, noe som effektivt reduserer refleksjoner og interferens i systemet.
Frekvensområde 10 MHz til 40 GHz, opptil 500 W effekt.
Militære, romfarts- og kommersielle applikasjoner.
Lavt innsettingstap, høy isolasjon, høy effekthåndtering.
Tilpasset design tilgjengelig på forespørsel.
-
SMT/SMD-isolator
SMD-isolatorer er en isolasjonsenhet som brukes til emballasje og installasjon på et PCB (kretskort). De er mye brukt i kommunikasjonssystemer, mikrobølgeutstyr, radioutstyr og andre felt. SMD-isolatorer er små, lette og enkle å installere, noe som gjør dem egnet for integrerte kretsapplikasjoner med høy tetthet. Følgende vil gi en detaljert introduksjon til egenskapene og bruksområdene til SMD-isolatorer. For det første har SMD-isolatorer et bredt spekter av frekvensbånddekning. De dekker vanligvis et bredt frekvensområde, for eksempel 400 MHz–18 GHz, for å møte frekvenskravene til forskjellige applikasjoner. Denne omfattende frekvensbånddekningskapasiteten gjør at SMD-isolatorer kan yte utmerket i flere applikasjonsscenarier.
Frekvensområde 200 MHz til 15 GHz.
Militære, romfarts- og kommersielle applikasjoner.
Lavt innsettingstap, høy isolasjon, høy effekthåndtering.
Tilpasset design tilgjengelig på forespørsel.
-
RFTXX-20RM0904 RF-motstand
Modell RFTXX-20RM0904 Effekt 20 W Motstand XX Ω (10~3000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5 % Kapasitans 1,2 PF@100Ω Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-deksel AL2O3 Monteringsflens Messing Bly 99,99 % rent sølv Resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se effektreduksjon) Oversiktstegning (enhet: mm) Lengden på ledningstråden kan oppfylle kundens krav Størrelsestoleranse: 5 % med mindre annet er angitt Foreslår... -
Mikrostrip-isolator
Mikrostrip-isolatorer er en vanlig RF- og mikrobølgeenhet som brukes til signaloverføring og isolasjon i kretser. Den bruker tynnfilmteknologi for å lage en krets oppå en roterende magnetisk ferritt, og legger deretter til et magnetfelt for å oppnå dette. Installasjonen av mikrostrip-isolatorer benytter vanligvis metoden med manuell lodding av kobberstrimler eller gulltrådbinding. Strukturen til mikrostrip-isolatorer er veldig enkel, sammenlignet med koaksiale og innebygde isolatorer. Den mest åpenbare forskjellen er at det ikke er noe hulrom, og lederen til mikrostrip-isolatoren er laget ved å bruke en tynnfilmprosess (vakuumsputtering) for å lage det designede mønsteret på den roterende ferritten. Etter galvanisering festes den produserte lederen til det roterende ferrittsubstratet. Fest et lag med isolerende medium oppå grafen, og fest et magnetfelt på mediet. Med en så enkel struktur er en mikrostrip-isolator produsert.
Frekvensområde 2,7 til 43 GHz
Militære, romfarts- og kommersielle applikasjoner.
Lavt innsettingstap, høy isolasjon, høy effekthåndtering.
Tilpasset design tilgjengelig på forespørsel.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz lav intermodulasjonsterminering
Modell CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frekvensområde DC~3.0GHz VSWR 1.20 Maks PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Effekt 50W Impedans 50 Ω Kontakttype DIN-M (J) Vanntett klasse IP65 Dimensjon 60×60×80mm Driftstemperatur -55 ~ +125°C (Se Effektreduksjon) Farge Svart Vekt Rundt 410 g Vær oppmerksom på Effektreduksjon Artikkelnr. Betegnelse -
RFTXX-20RM1304 RF-motstand
Modell RFTXX-20RM1304 Effekt 20 W Motstand XX Ω (10~3000Ω kan tilpasses) Motstandstoleranse ±5 % Kapasitans 1,2 PF@100Ω Temperaturkoeffisient <150 ppm/℃ Substrat BeO-deksel AL2O3 Monteringsflens Messing Bly 99,99 % rent sølv Resistivt element Tykkfilm Driftstemperatur -55 til +150 °C (se effektreduksjon) Oversiktstegning (enhet: mm) Lengden på ledningstråden kan oppfylle kundens krav Størrelsestoleranse: 5 % med mindre annet er angitt Forslag... -
